1200℃雙管滑動式單溫區(qū)/多溫區(qū)CVD系統(tǒng)

更新時間： 2024-10-28

訪問次數(shù)： 6466

產(chǎn)品報價：

產(chǎn)品簡介： 產(chǎn)品用途：此款CVD系統(tǒng)是專門為在金屬箔上生長薄膜而設計，特別是應用在新一代能源關于柔性金屬箔電極方面的研究，通過滑動爐實現(xiàn)快速加熱和冷卻。

詳細資料：

1200℃雙管滑動式單溫區(qū)/多溫區(qū)CVD系統(tǒng)產(chǎn)品用途：

此款CVD系統(tǒng)是專門為在金屬箔上生長薄膜而設計，特別是應用在新一代能源關于柔性金屬箔

電極方面的研究，通過滑動爐實現(xiàn)快速加熱和冷卻。

產(chǎn)品組成：

CVD系統(tǒng)配置：

1、1200度開啟式真空管式爐（可選配單溫區(qū)及雙溫區(qū)）。

2、滑動系統(tǒng)分為手動、電動滑動，并配有風冷系統(tǒng)。

3、內(nèi)外雙石英管，采用真空可通氣氛雙法蘭特殊連接。

4、多路氣體流量控制系統(tǒng)（質子流量控制器和浮子流量控制器）

5、真空系統(tǒng)（可選配中真空或高真空）

1200℃雙管滑動式單溫區(qū)/多溫區(qū)CVD系統(tǒng)產(chǎn)品特點：

1、控制電路選用模糊PID程控技術，該技術控溫精度高，熱慣性小，溫度不過沖，性能可靠，操作簡單。

2、中真空系統(tǒng)具有真空度上下限自動控制功能，高真空系統(tǒng)采用高壓強，耐沖擊分子泵，防止意外漏氣造成分子泵損壞，延長系統(tǒng)使用壽命。

3、(電動)滑動系統(tǒng)采用溫度控制器自動控制爐體移動，等程序完成，爐體按設定的速度滑動，因有滑動限位功能，爐體不會發(fā)生碰撞，待樣品露出爐體后，通過風冷系統(tǒng)快速降溫。

4、雙管真空密封法蘭，反應氣體可以在內(nèi)外管之間發(fā)生反應，冷卻氣體可通過內(nèi)管，從而使內(nèi)管外壁溫度降低。

產(chǎn)品圖片：

技術參數(shù)：

系統(tǒng)名稱	1200℃雙管滑動式單/多溫區(qū)CVD系統(tǒng)
系統(tǒng)型號	CVD-12II6SH-3Z/G	CVD-12III9SH-3Z/G
極限溫度	1200℃
加熱區(qū)長度	610mm	940mm
恒溫區(qū)長度	400mm	700mm
溫區(qū)	雙溫區(qū)	三溫區(qū)
石英管管徑	內(nèi)管：Φ80mm 外管：Φ100mm
額定功率	4.8Kw	7.2Kw
額定電壓	220V	380V（三相）
滑動距離	485mm	650mm
滑動方式	手動滑動/自動滑動(由溫度控制器自動控制移動，當程序完成，爐子按設定的速度滑動）
溫度控制	國產(chǎn)程序控溫系統(tǒng)50段程序控溫；
控制精度	±1℃
爐管極限工作溫度	＜1200℃
雙管法蘭連接	采用雙法蘭雙卡箍連接可擴展多功能，并且分別獨立對內(nèi)管和外管進行真空和氣體流量控制.密封法蘭與管件連接的地方采用多環(huán)密封技術，在密封法蘭與管外壁間形成了密封，在管件外徑誤差較大的情況下密封仍然有效，該密封法蘭的安裝只需在*使用設備的時候安裝
氣體控制方式	質量流量計
氣路數(shù)量	3路（可根據(jù)具體需要選配氣路數(shù)量）
流量范圍	0-500sccm(標準毫升/分，可選配）氮氣標定
精度	±1%F.S
響應時間	≤4sec
工作溫度	5-45℃
工作壓力	進氣壓力0.05-0.3Mpa(表壓力）
系統(tǒng)連接方式	采用KF快速連接波紋管、高真空手動擋板閥及數(shù)顯真空測量儀
規(guī)格	高真空
系統(tǒng)真空范圍	1x10-3Pa-1x10-1Pa
真空泵	真空分子泵理論極限真空度 5x10-6Pa抽氣速率1600L/S 額定電壓220V 功率2Kw
爐體外形尺寸	480×770×605mm	410×1100×605mm
系統(tǒng)外形尺寸	530×1440×750mm(不含高真空)
系統(tǒng)總重量	340Kg